世界级存储器基地落户光谷 意义超过当年建武钢
楚天都市报讯（记者庞正李晓琴李菡通讯员张珊妮）光谷东，智能制造产业园，科技一路与左庙路的交会处，左岭街的前世和未来在这里交会。科技一路南侧是秀美的乡村田园，北侧工地上施工车辆正忙着平整土地。这片原本长着水稻和油菜的土地，将长出新的“现代工业的粮食”——存储器芯片。
昨日，总投资240亿美元（约1600亿元人民币）的国家存储器基地项目在这里正式启动。这个数字，刷新了建国以来我省单体投资最大项目的纪录。
这是国家发展集成电路产业的重大战略部署。出席昨日启动仪式的中科院微电子研究所所长叶甜春介绍，存储器是信息系统的基础核心芯片，去年7月，发展存储器芯片正式被确定为国家战略。今年2月23日，国务院批复同意国家存储器基地落户湖北武汉。这一世界级存储器基地，将为我国打破主流存储器领域空白，实现产业和经济跨越发展提供重要支撑。
东湖高新区管委会有关负责人介绍，国家存储器基地占地约2300亩，将在5年内投资240亿美元，预计到2020年形成月产能30万片的生产规模，到2030年建成每月100万片的产能。
为保证国家存储器基地项目顺利实施，国家集成电路产业投资基金股份有限公司等出资作为股东，将在武汉新芯集成电路制造有限公司的基础上组建一家存储器公司，作为存储器基地项目实施主体公司。武汉新芯公司执行副总裁陈少民介绍，这一存储器基地项目以芯片制造为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与销售于一体。
51岁的周次园是左岭卸甲村村民，家就在离这片工地一里地的地方。在进场施工前一天，他在海报上看到了国家存储器项目的介绍，“这里以后要变成高科技的地方了，我们也跟着沾光。”周次元告诉记者，脚下这片土地原本是左岭村下邓湾，田里以种植水稻和油菜为主，乡亲们人均年收入约为1.2万元。如今，他在工地上干零工，一天工资是120元，“等这个项目建成后，乡亲们一定能找到收入更高的活儿。”
存储器产业生态链条的发展，将为武汉提供巨大的就业市场。“武汉新芯目前有一千多名员工，到2020年产能上去后，员工人数或将达到17000人以上。”陈少民信心满怀。
追芯16年，武汉站在国家战略制高点
国家存储器基地落户江城 其意义超过当年建武钢
楚天都市报记者庞正李晓琴李菡通讯员张珊妮摄影：楚天都市报记者姚品
昨日下午，2016年国际存储器高峰论坛在汉举行，中科院微电子研究所所长叶甜春、清华大学微电子学研究所所长魏少军、武汉新芯执行副总裁陈少民等与会嘉宾，畅谈存储器芯片产业现状与发展趋势，展望昨日落户光谷的国家存储器基地的发展蓝图。
打破存储器进口依赖
若说集成电路产业是现代工业的粮食，那么存储器在现阶段就是粮食中的主粮。然而，这关乎国家信息安全的“粮食”，我国一直依赖进口。魏少军接受记者采访时直言，“从某种意义上说，如果没有芯片，整个信息产业就建在沙滩上。”
“全球集成电路产业面临新的转折点，这为我国集成电路弯道超车提供了机遇。”叶甜春说，这承载了国家自主创新的使命，随着物联网、大数据产业的发展，存储芯片的需求还将激增，中国必须有企业站出来填补空白，抢占市场。
武汉追“芯”16年
“现在回过头来看，省市领导当年的决策是多么具有前瞻性。”昨日，谈起武汉的“追芯”路，华中科技大学超大规模集成电路与系统研究中心主任邹雪城感慨道。去年7月，发展存储器芯片正式被确定为国家战略。
邹雪城回忆，2000年，武汉市政府已经认识到了发展集成电路的重要性，但当时武汉在这方面是零基础。2006年，湖北省、武汉市和东湖高新区投资100亿元建设了武汉新芯12英寸晶圆制造项目。经过10年的打造，目前武汉新芯公司已成为我国唯一以存储器为主的集成电路制造企业。“中国光谷”以武汉新芯为龙头，已成为我国重要的集成电路产业聚集区之一。
陈少民说，国家存储器基地每月的硅晶片产能将达30万片，而一片硅晶片上可承载700颗芯片，也就是说，一年可生产25.2亿颗芯片。而在未来，2颗芯片可满足一只手机的需要。
意义超过当年建武钢
“国家存储器基地落户武汉，其意义会超过武钢在工业化时代对于武汉的意义。”叶甜春说，在现在的信息时代，这是影响力更大的“新武钢”，它将是全国最大的芯片工厂。芯片的主要材料是硅，一个城市的“硅含量”，将决定城市未来发展的位次。从上世纪的武钢到今天的世界级存储器基地开工，武汉又一次站在了国家战略的制高点。
迎向存储器产业
发展“风口”
楚天都市报讯（记者庞正李晓琴李菡通讯员张珊妮）目前，世界存储器主要使用 DRAM （关机后丢失数据）和NAND （关机后保留数据）两种技术，绝大部分应用于个人电脑、服务器和智能手机。
2020年，国家存储器基地30万片月产能中，约20万片为3D NAND 存储器，10万片为DRAM存储器。
武汉新芯执行副总裁陈少民称，发展3D NAND立体堆叠存储技术，是由于在生产工艺的物理极限上，2D闪存已经无法继续突破。2D闪存就像是停车场，而3D NAND则是立体停车场。不仅如此，新技术也比2D 闪存性能更强，功耗更低，可靠性更高，将逐步取代后者。如今3D NAND技术兴起，可谓正好走到了一个发展的“风口”，势必把握这一机会。
