国家存储器项目重要配套道路光谷科技五路提前通车

　　12月27日，国家存储器项目周边重要配套市政道路——科技五路未来二路至未来三路段通车，为国家存储器项目顺利投产奠定坚实基础。

　　科技五路道排工程位于东湖高新区，西起高新二路东至左岭柘树湾路，全长6.2公里，路面红线宽30—40米，此次通车的为未来二路—未来三路段，全长1.54公里。项目建设单位为武汉光谷建设投资有限公司，施工单位为湖北宏缘市政工程建设有限公司。

　　科技五路是湖北省、武汉市重点项目——国家存储器项目的重要配套市政道路。国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城，项目一期规划投资240亿美元，占地面积1968亩，于2016年12月30日正式开工建设，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash 生产厂房，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。作为我国发展集成电路产业的重要组成部分，国家存储器基地对于填补国内主流存储器领域空白、保障国家信息安全具有重要的战略意义。

　　武汉市、东湖高新区高度重视国家存储器基地项目，全力做好项目实施过程中的各项配套服务工作。为满足国家存储器项目投产需要，武汉光谷建设投资有限公司按照2017年12月31日前实现科技五路未来二路至未来三路完工通车的要求，在高新区相关单位的支持下，克服“插花地带”阻工问题，提前实现了项目通车目标。

　　科技五路未来二路至未来三路通车后，将为国家存储器项目投产前大型设备的进出扫除了最大障碍，为其顺利投产奠定坚实基础。（喻敏、彭飞、袁源）