国家存储器基地项目在武汉正式开工 总投资1600亿元

　　自今年3月落地以来，总投资240亿美元（约1600亿元人民币）的国家存储器基地项目，经过近一年的筹备调整，12月30日正式在武汉未来科技城开工建设。它标志着中国集成电路存储芯片产业，在规模化发展上实现了“零”的突破。

　　这是我国集成电路产业有史以来最大单体投资项目，也是新中国成立以来我省最大单体投资高科技产业项目。

　　紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国表示，集成电路是信息技术产业的核心，保障着国家信息安全，其中存储器约占集成电路产业的25%。“这个项目对中国科技事业的意义，不亚于‘辽宁号’航空母舰出海试航。”

　　该基地占地1968亩，由全国最大的集成电路设计公司紫光集团，联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科技投资集团有限公司共同投资建设，主要研发生产以3D NAND技术为核心的存储器芯片。

　　此前，为该项目组建的长江存储科技有限责任公司于7月成立。本地最大的集成电路企业武汉新芯，成为长江存储全资子公司。

　　未来几年，在光谷东这片高科技公司云集的土地上，将建起3座全球单体洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼及其他配套设施。其核心生产厂房和设备，每平方米投资强度超过3万美元，创全国之最。

　　3D NAND即立体堆叠存储技术。如果说2D闪存是建平房，3D NAND存储就是盖楼房，现在国际主流产品已经“盖”到48层，未来有可能到96层、128层，存储容量大幅提升。

　　据悉，存储器基地分三期建设。一期工程预计明年完工进入设备调试，2018年建成投产，月产晶圆硅片10万片，相当于8.5亿颗芯片。2020年，三期全部完工后，基地产能将达到每月30万片，年产值将超过100亿美元，形成设计、测试、封装、制造、应用等上下游集群。（李墨、张珊妮）